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SUNX小型激光傳感器說明書 67%（透過型）、58%（反射型）。并充分利用激光*的異方向性和視覺 　　辨認(rèn)性，以同類產(chǎn)品中*Z透過型 　　EX-L211Z小檢測物體φ（典型示例）。 　　φ0的受光狹縫能夠攔截多余的光線。僅對狹縫內(nèi)的光線有效，因此 　　可進(jìn)行有效、高精度的檢測。Z適用于微小物體的檢測和微小高度差異的檢測。 　　另外，通過采用的非球面

SUNX神視小型激光傳感器安裝手冊 用環(huán)境溫度 -10?+55℃（但應(yīng)無凝露及結(jié)冰）、存儲時(shí)：-30?＋70℃ 　　使用環(huán)境濕度 35?85%RH、存儲時(shí)：35：35?85%RH 　　使用環(huán)境照明度 白熾燈：受光面照明度3,000?x以下 　　耐電壓 AC1,000V 1分鐘　所有充電部與外殼之間 　　緣電阻 所有充電部與外殼之間，20MΩ以上，基于DC250V的高阻表

SUNX數(shù)字光纖傳感器技術(shù)簡介 電壓：2V以下（注3）（Z大流入電流的條件下） 　　PNP開路集電極晶體管 　　?Z大源電流：100mA（雙輸出型？模擬輸出型為50mA）（注2） 　　?外加電壓：30V DC以下（輸出和＋V之間） 　　?剩余電壓：2V以下（注3）（Z大源電流的 　?。娫措妷?4V時(shí)，消耗電流28mA以下，電纜型的監(jiān)控電流輸出除外） 通常時(shí)：960m

SUNX光纖傳感器參數(shù)分析 下電工SUNX著眼于光纖傳感器的機(jī)體差，以數(shù)字化數(shù)值更接近值為目標(biāo)。 　　FX-500 Ver.2系列通過與光纖間的組合，將入光量的機(jī)體差減少了以往的1/4。 　　可使數(shù)字化數(shù)值更接近時(shí)：960mW以下 　　（電源電壓24V時(shí)，消耗電流40mA以下，電纜型的監(jiān)控電流輸出 　　1,127 　 5,082 　　1,19

SUNX數(shù)字激光傳感器型號構(gòu)成 ，請選擇留有充足余量的基準(zhǔn)值。 保護(hù)構(gòu)造子與外殼之 使用環(huán)境照明度同軸型回歸反射型在近距離檢測理論上的鏡面體或光 線容易擴(kuò)散的物體時(shí)，可能會因發(fā)生偏光的光線不穩(wěn)定而導(dǎo)致無法檢測。 利用放大器的受光靈敏度功能降低受光靈敏度值。 使檢測頭遠(yuǎn)離檢測物體。

SUNX傳感器安裝方式 60℃雙振幅0.75mm　X,Y和Z方向各2小時(shí) 　　耐沖擊 加速度500m/s2（約50G）　使用環(huán)境濕度 35～85％RH，存儲時(shí)：35～85％RH 　　使用環(huán)境照明度 白熾燈：受光面照明度3,000lx以下 　　耐電壓 AC1,000V 1分鐘　所有 　　?外加電壓：30V DC以下（輸出和+V之間） 　　?剩余電壓：2V以下（源電流為

SUNX傳感器選型資料 　±0.2%F.S. ±0.2%F.S.（測量距離有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，測定結(jié)果可能會受到影響 　　從2016年6月的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。 　　? 漏電流：0.1mA以下 　　紅色半導(dǎo)體激光 2[JIS　　±0.3%F.S.電壓：30V DC以下FDA規(guī)則中Laser Notice No.50（2007.6.24）規(guī)定

SUNX傳感器主要特點(diǎn) 10?+55℃（但應(yīng)無凝紅色半導(dǎo)體激光　1（JIS/IEC/FDA）（注5） 　?。踆大輸出：EX-L211/212□ 390μW、EX-L291□ 0.5mW、EX-L221□ 2mW、發(fā)光峰 　　值波長655nm］ 　　材質(zhì) 外殼：PBT、前面窗口：丙烯基、透

SUNX安全光幕使用須知 計(jì)未測定條件，使用溫度范未測定條件，使用溫度范圍=+20℃。PFHD的每小時(shí)危險(xiǎn)方故障 　　率作為MTTFd的平均危險(xiǎn)方故障率。裝置的1光軸的到Z后一個(gè)光軸的的距離。 　　寬度（防護(hù)高度）（注2） 　　150mm 230mm 310mm 390m斷機(jī)時(shí)

SUNX數(shù)字光纖傳感器結(jié)構(gòu)分析 監(jiān)控電流輸出除外） 　?。娫措妷?4V時(shí)，消耗電流28mA以下，電纜型的監(jiān)控電流輸出除外） 　　通常時(shí)：960mW以下 　?。娫措妷?4V時(shí)，消耗電流40mA以下） 　　ECO模式時(shí)：680mW以下出模擬輸出型為50mA）（注2）？Z大流的條件下） 　　PNP開路集電極晶體管點(diǎn)：4mA±1%F.S.以內(nèi)、 　　?外加電壓：3